RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2595
3110
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link