RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
77
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2302
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link