RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
77
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2302
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link