RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
77
Autour de -88% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2302
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link