RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KP223C-ELD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2137
2169
Kingston KP223C-ELD 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link