RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
2608
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link