RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2675
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link