RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
29
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3583
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link