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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
75
左右 -159% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
29
读取速度,GB/s
1,943.5
18.4
写入速度,GB/s
1,672.1
15.3
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3583
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
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