RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
75
Wokół strony -257% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
21
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3255
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link