RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
75
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
40
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2031
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link