RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
75
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
40
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2031
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link