RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2852
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
AMD R334G1339U2S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link