Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 29

Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

10.5 9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.4 4.8

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
AMD R334G1339U2S 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

AMD R334G1339U2S 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1570 1726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns