Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote
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AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R334G1339U2S 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 29
    Rund um 3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 4.8
    Durchschnittswert bei den Tests
AMD R334G1339U2S 4GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R334G1339U2S 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 9.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 4.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1570 left arrow 1726
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