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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
AMD R334G1339U2S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R334G1339U2S 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1570
1726
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