RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 29

Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.5 9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.4 4.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
AMD R334G1339U2S 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

AMD R334G1339U2S 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1570 1726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns