Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 29

Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.5 9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.4 4.8

Valor médio nos testes

Razões a considerar
AMD R334G1339U2S 4GB

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

AMD R334G1339U2S 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1570 1726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns