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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

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AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R334G1339U2S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 29
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 4.8
    テスト平均値
AMD R334G1339U2S 4GB 考慮すべき理由
AMD R334G1339U2S 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.5 left arrow 9.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 4.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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