RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564U64BP8-C4 512MB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs SK Hynix HYMP564U64BP8-C4 512MB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP564U64BP8-C4 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP564U64BP8-C4 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
75
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,840.8
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564U64BP8-C4 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
75
50
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
4,052.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
1,840.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
4200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
4-4-4-12 / 533 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
581
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP564U64BP8-C4 512MB Porównanie pamięci RAM
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564U64BP8-C4 512MB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link