RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
50
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
40
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2362
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link