RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2713
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link