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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

总分
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

总分
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB 需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 15.7
    测试中的平均数值
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB 需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 50
    左右 -61% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 1,905.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    50 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    5,143.3 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    1,905.1 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    855 left arrow 2713

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM的比较

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
内存RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
内存RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
内存RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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