RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
3663
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link