RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2690
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link