RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2690
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link