RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2690
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link