RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2468
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link