RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2468
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/4G 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link