RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3649
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link