RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3409
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link