RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
77
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1517
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link