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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
6.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
77
读取速度,GB/s
17.8
11.9
写入速度,GB/s
12.5
6.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
1517
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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