RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
17.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
62
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2018
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link