RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3567
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link