RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2814
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link