RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
4276
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link