RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
23.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
4276
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link