RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2713
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CGM2X2GS800 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link