RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2713
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link