RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2713
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link