RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2414
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link