RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2594
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link