RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
52
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2390
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link