RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
54
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3206
2938
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link