Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

总分
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

总分
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    38 left arrow 54
    左右 30% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.4 left arrow 15.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.3 left arrow 13.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    38 left arrow 54
  • 读取速度,GB/s
    16.4 left arrow 15.2
  • 写入速度,GB/s
    13.7 left arrow 14.3
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3206 left arrow 2938
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