RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3595
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905402-158.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link