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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
10.5
17.2
写入速度,GB/s
7.1
14.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3595
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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