RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2462
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link