RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
104
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
74
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1714
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link