Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

74 104

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.0 2,404.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 74
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 1714

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905625-029.A00G 8GB

Kingston 9905625-029.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

модули RAM