RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3082
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link